Bipolartransistor 2N6677

• Typ: NPN
• Kollektor-Emitter-Spannung, max: 350 V
• Kollektor-Basis-Spannung, max: 550 V
• Emitter-Basis-Spannung, max: 8 V
• Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 15 A
• Verlustleistung, max: 175 W
• Gleichstromverstärkung (h_fe): 8
• Übergangsfrequenz, min: 3 MHz
• Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +200 °C
• Gehäuse: TO-3

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.Sie können den Transistor 2N6677 durch einen 2N6547, 2N6678, 2SC2429, 2SC2429A, 2SC2920, 2SC3058, 2SC3058A, BUX48, BUX48A, BUX48B, BUX48C, MJ10000 oder MJ10001 ersetzen.