Bipolartransistor 2N6511

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2N6511

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 250 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 400 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 7 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 7 A
  • Verlustleistung, max: 120 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 10 bis 50
  • Übergangsfrequenz, min: 3 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +200 °C
  • Gehäuse: TO-3

Pinbelegung des 2N6511

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2N6511

Sie können den Transistor 2N6511 durch einen 2N6250, 2N6251, 2N6512, 2N6513, 2N6514, 2N6676, 2N6677, 2N6678, BUX48, BUX48A, MJ12021, MJ12022, MJ16006 oder MJ16008 ersetzen.
Wenn Sie einen Fehler finden, senden Sie bitte eine E-Mail an mail@el-component.com