Bipolartransistor 2N6510

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2N6510

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 200 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 250 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 6 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 7 A
  • Verlustleistung, max: 120 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 10 bis 50
  • Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-3

Pinbelegung des 2N6510

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2N6510

Sie können den Transistor 2N6510 durch einen 2N6249, 2N6250, 2N6251, 2N6511, 2N6512, 2N6513, 2N6514, 2N6676, 2N6677, 2N6678 oder BUX48 ersetzen.
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