Bipolartransistor 2N6308

• Typ: NPN
• Kollektor-Emitter-Spannung, max: 350 V
• Kollektor-Basis-Spannung, max: 700 V
• Emitter-Basis-Spannung, max: 8 V
• Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 8 A
• Verlustleistung, max: 125 W
• Gleichstromverstärkung (h_fe): 12 bis 60
• Übergangsfrequenz, min: 5 MHz
• Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +200 °C
• Gehäuse: TO-3

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.Sie können den Transistor 2N6308 durch einen 2N6545, 2N6547, 2N6677, 2N6678, BUX48, BUX48A, MJ12021, MJ12022, MJ16006, MJ16008 oder MJ8504 ersetzen.