Bipolartransistor 2N6306

• Typ: NPN
• Kollektor-Emitter-Spannung, max: 250 V
• Kollektor-Basis-Spannung, max: 500 V
• Emitter-Basis-Spannung, max: 8 V
• Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 8 A
• Verlustleistung, max: 125 W
• Gleichstromverstärkung (h_fe): 15 bis 75
• Übergangsfrequenz, min: 5 MHz
• Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +200 °C
• Gehäuse: TO-3

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.Sie können den Transistor 2N6306 durch einen 2N6307, 2N6676, 2N6677, 2N6678, BUX48, BUX48A, BUY69A, BUY69B, BUY70A, BUY70B, MJ12021, MJ12022, MJ16006 oder MJ16008 ersetzen.