Bipolartransistor 2N6058

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2N6058

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 80 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 80 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 12 A
  • Verlustleistung, max: 150 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 750 bis 18000
  • Übergangsfrequenz, min: 4 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +200 °C
  • Gehäuse: TO-3

Pinbelegung des 2N6058

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum 2N6058 ist der 2N6051.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2N6058

Sie können den Transistor 2N6058 durch einen 2N6059, 2N6283, 2N6283G, 2N6284, 2N6284G, 2SC1584, 2SC1585, BD315, BD317 oder KD503 ersetzen.
Wenn Sie einen Fehler finden, senden Sie bitte eine E-Mail an mail@el-component.com