Bipolartransistor 2N5760

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2N5760

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 140 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 140 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 7 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 6 A
  • Verlustleistung, max: 150 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 15 bis 60
  • Übergangsfrequenz, min: 1 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +200 °C
  • Gehäuse: TO-3

Pinbelegung des 2N5760

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2N5760

Sie können den Transistor 2N5760 durch einen 2N3773, 2N3773G, 2N5631, 2N5634, 2N6306, BUY69C, BUY70C, MJ15022, MJ15022G, MJ15024 oder MJ15024G ersetzen.
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