Bipolartransistor 2N5631

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2N5631

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 140 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 140 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 7 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 16 A
  • Verlustleistung, max: 200 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 15 bis 60
  • Übergangsfrequenz, min: 1 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +200 °C
  • Gehäuse: TO-3

Pinbelegung des 2N5631

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum 2N5631 ist der 2N6031.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2N5631

Sie können den Transistor 2N5631 durch einen 2N3773, 2N3773G, MJ15022, MJ15022G, MJ15024 oder MJ15024G ersetzen.
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