Bipolartransistor MJ15022G

Elektrische Eigenschaften des Transistors MJ15022G

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 200 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 350 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 16 A
  • Verlustleistung, max: 250 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 15 bis 60
  • Übergangsfrequenz, min: 4 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +200 °C
  • Gehäuse: TO-3
  • Der MJ15022G ist die bleifreie Version des MJ15022-Transistors

Pinbelegung des MJ15022G

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum MJ15022G ist der MJ15023G.

Ersatz und Äquivalent für Transistor MJ15022G

Sie können den Transistor MJ15022G durch einen MJ15022, MJ15024 oder MJ15024G ersetzen.
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