Bipolartransistor 2N5655

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2N5655

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 250 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 275 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 6 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 0.5 A
  • Verlustleistung, max: 20 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 30 bis 250
  • Übergangsfrequenz, min: 10 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-126

Pinbelegung des 2N5655

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2N5655

Sie können den Transistor 2N5655 durch einen 2N5655G, 2N5656, 2N5656G, 2N5657, 2N5657G, 2SC2899, BD127, BD128 oder BD129 ersetzen.
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