Bipolartransistor 2N5190G

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2N5190G

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 40 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 40 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 4 A
  • Verlustleistung, max: 40 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 25 bis 100
  • Übergangsfrequenz, min: 2 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-126
  • Der 2N5190G ist die bleifreie Version des 2N5190-Transistors

Pinbelegung des 2N5190G

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum 2N5190G ist der 2N5193G.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2N5190G

Sie können den Transistor 2N5190G durch einen 2N5190, 2N5191, 2N5191G, MJE222, MJE225 oder MJE242 ersetzen.
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