Bipolartransistor 2N5190

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2N5190

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 40 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 40 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 4 A
  • Verlustleistung, max: 40 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 25 bis 100
  • Übergangsfrequenz, min: 2 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-126

Pinbelegung des 2N5190

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum 2N5190 ist der 2N5193.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2N5190

Sie können den Transistor 2N5190 durch einen 2N5190G, 2N5191, 2N5191G, MJE222, MJE225 oder MJE242 ersetzen.

Bleifreie Version

Der 2N5190G-Transistor ist die bleifreie Version des 2N5190.
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