Bipolartransistor 2N5191

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2N5191

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 60 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 60 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 4 A
  • Verlustleistung, max: 40 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 25 bis 100
  • Übergangsfrequenz, min: 2 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-126

Pinbelegung des 2N5191

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum 2N5191 ist der 2N5194.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2N5191

Sie können den Transistor 2N5191 durch einen 2N5191G, MJE225, MJE242 oder MJE244 ersetzen.

Bleifreie Version

Der 2N5191G-Transistor ist die bleifreie Version des 2N5191.
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