Bipolartransistor 2N5193G
Elektrische Eigenschaften des Transistors 2N5193G
- Typ: PNP
- Kollektor-Emitter-Spannung, max: -40 V
- Kollektor-Basis-Spannung, max: -40 V
- Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
- Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -4 A
- Verlustleistung, max: 40 W
- Gleichstromverstärkung (hfe): 25 bis 100
- Übergangsfrequenz, min: 2 MHz
- Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
- Gehäuse: TO-126
- Der 2N5193G ist die bleifreie Version des 2N5193-Transistors
Pinbelegung des 2N5193G
Komplementärer NPN-Transistor
Ersatz und Äquivalent für Transistor 2N5193G
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