Transistor bipolaire NTE196

Caractéristiques électriques du transistor NTE196

  • Type de transistor: NPN
  • Tension collecteur-émetteur maximum: 70 V
  • Tension collecteur-base maximum: 80 V
  • Tension émetteur-base maximum: 5 V
  • Courant collecteur continu maximum: 7 A
  • Dissipation de puissance maximum: 40 W
  • Gain de courant (hfe): 30 à 150
  • Fréquence de transition minimum: 4 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +150 °C
  • Boîtier: TO-220

Brochage du NTE196

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Complémentaire du transistor NTE196

Le transistor PNP complémentaire du NTE196 est le NTE197.

Substituts et équivalents pour le transistor NTE196

Vous pouvez remplacer le transistor NTE196 par 2N6292, 2N6292G, 2N6293, 2N6488, 2N6488G, BD709, BD711, BD743B, BD743C, BD799, BD801, BD809, BD909, BD911, BDT93, BDT93F, BDT95, BDT95F ou BDX77.
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