Transistor bipolaire MPS8550S-C

Caractéristiques électriques du transistor MPS8550S-C

  • Type de transistor: PNP
  • Tension collecteur-émetteur maximum: -25 V
  • Tension collecteur-base maximum: -40 V
  • Tension émetteur-base maximum: -6 V
  • Courant collecteur continu maximum: -1.5 A
  • Dissipation de puissance maximum: 0.35 W
  • Gain de courant (hfe): 120 à 200
  • Fréquence de transition minimum: 200 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
  • Boîtier: SOT-23
  • Electrically Similar to the Popular MPS8550C transistor

Brochage du MPS8550S-C

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Classification de hFE

Le transistor MPS8550S-C peut avoir un gain en courant continu de 120 à 200. Le gain en courant continu du MPS8550S est compris entre 85 à 300, celui du MPS8550S-B entre 85 à 160, celui du MPS8550S-D entre 160 à 300.

Marquage

Le transistor MPS8550S-C est marqué "BJC".

Complémentaire du transistor MPS8550S-C

Le transistor NPN complémentaire du MPS8550S-C est le MPS8050S-C.

Transistor MPS8550S-C en boîtier TO-92

Le MPS8550C est la version TO-92 du MPS8550S-C.
Si vous trouvez une erreur, veuillez envoyer un e-mail à mail@el-component.com