Transistor bipolaire MPS8550S-C
Caractéristiques électriques du transistor MPS8550S-C
- Type de transistor: PNP
- Tension collecteur-émetteur maximum: -25 V
- Tension collecteur-base maximum: -40 V
- Tension émetteur-base maximum: -6 V
- Courant collecteur continu maximum: -1.5 A
- Dissipation de puissance maximum: 0.35 W
- Gain de courant (hfe): 120 à 200
- Fréquence de transition minimum: 200 MHz
- Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
- Boîtier: SOT-23
- Electrically Similar to the Popular MPS8550C transistor
Brochage du MPS8550S-C
Classification de hFE
Marquage
Complémentaire du transistor MPS8550S-C
Transistor MPS8550S-C en boîtier TO-92
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