Transistor bipolaire MPS8050S-C

Caractéristiques électriques du transistor MPS8050S-C

  • Type de transistor: NPN
  • Tension collecteur-émetteur maximum: 25 V
  • Tension collecteur-base maximum: 40 V
  • Tension émetteur-base maximum: 6 V
  • Courant collecteur continu maximum: 1.5 A
  • Dissipation de puissance maximum: 0.35 W
  • Gain de courant (hfe): 120 à 200
  • Fréquence de transition minimum: 190 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
  • Boîtier: SOT-23
  • Electrically Similar to the Popular MPS8050C transistor

Brochage du MPS8050S-C

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Classification de hFE

Le transistor MPS8050S-C peut avoir un gain en courant continu de 120 à 200. Le gain en courant continu du MPS8050S est compris entre 85 à 300, celui du MPS8050S-B entre 85 à 160, celui du MPS8050S-D entre 160 à 300.

Marquage

Le transistor MPS8050S-C est marqué "BHC".

Complémentaire du transistor MPS8050S-C

Le transistor PNP complémentaire du MPS8050S-C est le MPS8550S-C.

Transistor MPS8050S-C en boîtier TO-92

Le MPS8050C est la version TO-92 du MPS8050S-C.

Substituts et équivalents pour le transistor MPS8050S-C

Vous pouvez remplacer le transistor MPS8050S-C par FMMT619.
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