Transistor bipolaire MJL21196G
Caractéristiques électriques du transistor MJL21196G
- Type de transistor: NPN
- Tension collecteur-émetteur maximum: 250 V
- Tension collecteur-base maximum: 400 V
- Tension émetteur-base maximum: 5 V
- Courant collecteur continu maximum: 16 A
- Dissipation de puissance maximum: 200 W
- Gain de courant (hfe): 25 à 75
- Fréquence de transition minimum: 4 MHz
- Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +150 °C
- Boîtier: TO-264
- Electrically Similar to the Popular MJ21196G transistor
- Le MJL21196G est la version sans plomb du transistor MJL21196
Brochage du MJL21196G
Complémentaire du transistor MJL21196G
Substituts et équivalents pour le transistor MJL21196G
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