Transistor bipolaire MJW21196G

• Type de transistor: NPN
• Tension collecteur-émetteur maximum: 250 V
• Tension collecteur-base maximum: 400 V
• Tension émetteur-base maximum: 5 V
• Courant collecteur continu maximum: 16 A
• Dissipation de puissance maximum: 200 W
• Gain de courant (h_fe): 20 à 80
• Fréquence de transition minimum: 4 MHz
• Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +150 °C
• Boîtier: TO-247
• Electrically Similar to the Popular MJ21196G transistor
• Le MJW21196G est la version sans plomb du transistor MJW21196

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.Le transistor PNP complémentaire du MJW21196G est le MJW21195.Vous pouvez remplacer le transistor MJW21196G par 2SD1313, MJW21194, MJW21194G, MJW21196, NJW21194 ou NJW21194G.