Transistor bipolaire MJL21196

Caractéristiques électriques du transistor MJL21196

  • Type de transistor: NPN
  • Tension collecteur-émetteur maximum: 250 V
  • Tension collecteur-base maximum: 400 V
  • Tension émetteur-base maximum: 5 V
  • Courant collecteur continu maximum: 16 A
  • Dissipation de puissance maximum: 200 W
  • Gain de courant (hfe): 25 à 75
  • Fréquence de transition minimum: 4 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +150 °C
  • Boîtier: TO-264
  • Electrically Similar to the Popular MJ21196 transistor

Brochage du MJL21196

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Substituts et équivalents pour le transistor MJL21196

Vous pouvez remplacer le transistor MJL21196 par 2SD1313, MJL21194, MJL21194G, MJL21196G, MJW21194, MJW21194G, MJW21196, MJW21196G, NJW21194 ou NJW21194G.

Version sans plomb

Le transistor MJL21196G est la version sans plomb du MJL21196.
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