Transistor bipolaire FJP5200O

• Type de transistor: NPN
• Tension collecteur-émetteur maximum: 250 V
• Tension collecteur-base maximum: 250 V
• Tension émetteur-base maximum: 5 V
• Courant collecteur continu maximum: 17 A
• Dissipation de puissance maximum: 80 W
• Gain de courant (h_fe): 80 à 160
• Fréquence de transition minimum: 30 MHz
• Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
• Boîtier: TO-220

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.Le transistor FJP5200O peut avoir un gain en courant continu de 80 à 160. Le gain en courant continu du FJP5200 est compris entre 55 à 160, celui du FJP5200R entre 55 à 100.Le transistor PNP complémentaire du FJP5200O est le FJP1943O.Vous pouvez remplacer le transistor FJP5200O par FJPF5200 ou FJPF5200O.