Transistor bipolaire FJPF5200R

Caractéristiques électriques du transistor FJPF5200R

  • Type de transistor: NPN
  • Tension collecteur-émetteur maximum: 250 V
  • Tension collecteur-base maximum: 250 V
  • Tension émetteur-base maximum: 5 V
  • Courant collecteur continu maximum: 17 A
  • Dissipation de puissance maximum: 50 W
  • Gain de courant (hfe): 55 à 100
  • Fréquence de transition minimum: 30 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
  • Boîtier: TO-220F

Brochage du FJPF5200R

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Classification de hFE

Le transistor FJPF5200R peut avoir un gain en courant continu de 55 à 100. Le gain en courant continu du FJPF5200 est compris entre 55 à 160, celui du FJPF5200O entre 80 à 160.

Complémentaire du transistor FJPF5200R

Le transistor PNP complémentaire du FJPF5200R est le FJPF1943R.

Substituts et équivalents pour le transistor FJPF5200R

Vous pouvez remplacer le transistor FJPF5200R par FJP5200 ou FJP5200R.
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