Transistor bipolaire FJPF5200R
Caractéristiques électriques du transistor FJPF5200R
- Type de transistor: NPN
- Tension collecteur-émetteur maximum: 250 V
- Tension collecteur-base maximum: 250 V
- Tension émetteur-base maximum: 5 V
- Courant collecteur continu maximum: 17 A
- Dissipation de puissance maximum: 50 W
- Gain de courant (hfe): 55 à 100
- Fréquence de transition minimum: 30 MHz
- Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
- Boîtier: TO-220F
Brochage du FJPF5200R
Classification de hFE
Complémentaire du transistor FJPF5200R
Substituts et équivalents pour le transistor FJPF5200R
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