Transistor bipolaire MJ11021

• Type de transistor: PNP
• Tension collecteur-émetteur maximum: -250 V
• Tension collecteur-base maximum: -250 V
• Tension émetteur-base maximum: -50 V
• Courant collecteur continu maximum: -15 A
• Dissipation de puissance maximum: 175 W
• Gain de courant (h_fe): 400 à 15000
• Fréquence de transition minimum: 3 MHz
• Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +200 °C
• Boîtier: TO-3

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.Le transistor NPN complémentaire du MJ11021 est le MJ11022.Vous pouvez remplacer le transistor MJ11021 par MJ11021G.Le transistor MJ11021G est la version sans plomb du MJ11021.