Caractéristiques électriques du transistor KTD718B-O
Type de transistor: NPN
Tension collecteur-émetteur maximum: 120 V
Tension collecteur-base maximum: 120 V
Tension émetteur-base maximum: 5 V
Courant collecteur continu maximum: 10 A
Dissipation de puissance maximum: 80 W
Gain de courant (hfe): 80 à 160
Fréquence de transition minimum: 12 MHz
Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
Boîtier: TO-3P
Brochage du KTD718B-O
Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.
Classification de hFE
Le transistor KTD718B-O peut avoir un gain en courant continu de 80 à 160. Le gain en courant continu du KTD718B est compris entre 55 à 160, celui du KTD718B-R entre 55 à 110.
Complémentaire du transistor KTD718B-O
Le transistor PNP complémentaire du KTD718B-O est le KTB688B-O.
Substituts et équivalents pour le transistor KTD718B-O