Transistor bipolaire TTC0001

• Type de transistor: NPN
• Tension collecteur-émetteur maximum: 160 V
• Tension collecteur-base maximum: 160 V
• Tension émetteur-base maximum: 5 V
• Courant collecteur continu maximum: 18 A
• Dissipation de puissance maximum: 150 W
• Gain de courant (h_fe): 80 à 160
• Fréquence de transition minimum: 30 MHz
• Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
• Boîtier: TO-3P

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.Le transistor PNP complémentaire du TTC0001 est le TTA0001.Vous pouvez remplacer le transistor TTC0001 par TTC0002.