Caractéristiques électriques du transistor 2SD1717-S
Type de transistor: NPN
Tension collecteur-émetteur maximum: 160 V
Tension collecteur-base maximum: 160 V
Tension émetteur-base maximum: 5 V
Courant collecteur continu maximum: 12 A
Dissipation de puissance maximum: 120 W
Gain de courant (hfe): 80 à 160
Fréquence de transition minimum: 20 MHz
Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
Boîtier: TO-3P
Brochage du 2SD1717-S
Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.
Classification de hFE
Le transistor 2SD1717-S peut avoir un gain en courant continu de 80 à 160. Le gain en courant continu du 2SD1717 est compris entre 60 à 200, celui du 2SD1717-P entre 100 à 200, celui du 2SD1717-Q entre 60 à 120.
Marquage
Parfois, le préfixe "2S" n'est pas marqué sur l'emballage - le transistor 2SD1717-S peut n'être marqué que D1717-S.
Complémentaire du transistor 2SD1717-S
Le transistor PNP complémentaire du 2SD1717-S est le 2SB1162-S.
Substituts et équivalents pour le transistor 2SD1717-S