Transistor bipolaire KSD401-G
Caractéristiques électriques du transistor KSD401-G
- Type de transistor: NPN
- Tension collecteur-émetteur maximum: 150 V
- Tension collecteur-base maximum: 200 V
- Tension émetteur-base maximum: 5 V
- Courant collecteur continu maximum: 2 A
- Dissipation de puissance maximum: 25 W
- Gain de courant (hfe): 200 à 400
- Fréquence de transition minimum: 5 MHz
- Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
- Boîtier: TO-220
- Electrically Similar to the Popular 2SD401-G transistor
Brochage du KSD401-G
Classification de hFE
Substituts et équivalents pour le transistor KSD401-G
Si vous trouvez une erreur, veuillez envoyer un e-mail à mail@el-component.com