Transistor bipolaire KSD401-G

Caractéristiques électriques du transistor KSD401-G

  • Type de transistor: NPN
  • Tension collecteur-émetteur maximum: 150 V
  • Tension collecteur-base maximum: 200 V
  • Tension émetteur-base maximum: 5 V
  • Courant collecteur continu maximum: 2 A
  • Dissipation de puissance maximum: 25 W
  • Gain de courant (hfe): 200 à 400
  • Fréquence de transition minimum: 5 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
  • Boîtier: TO-220
  • Electrically Similar to the Popular 2SD401-G transistor

Brochage du KSD401-G

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Classification de hFE

Le transistor KSD401-G peut avoir un gain en courant continu de 200 à 400. Le gain en courant continu du KSD401 est compris entre 120 à 400, celui du KSD401-Y entre 120 à 240.

Substituts et équivalents pour le transistor KSD401-G

Vous pouvez remplacer le transistor KSD401-G par 2SC4381, 2SC4382, 2SD401, 2SD401-G, 2SD402, 2SD772, 2SD772A, 2SD772B, 2SD792, 2SD792A, 2SD792B, MJE15030, MJE15030G, MJE15032, MJE15032G, MJE5740, MJF15030, MJF15030G, TIP150, TIP41F ou TIP42F.
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