Transistor bipolaire BDW51B

• Type de transistor: NPN
• Tension collecteur-émetteur maximum: 80 V
• Tension collecteur-base maximum: 80 V
• Tension émetteur-base maximum: 5 V
• Courant collecteur continu maximum: 15 A
• Dissipation de puissance maximum: 125 W
• Gain de courant (h_fe): 750 à 150
• Fréquence de transition minimum: 3 MHz
• Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +200 °C
• Boîtier: TO-3

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.Le transistor PNP complémentaire du BDW51B est le BDW52B.Vous pouvez remplacer le transistor BDW51B par 2N6283, 2N6283G, 2N6284, 2N6284G, 2N6472, 2SC1584, 2SC1585, 2SC2431, 2SC2433, 2SD797, BD315, BD317, BDW51C, KD503, MJ11018, MJ15001, MJ15001G, MJ15003 ou MJ15003G.