Transistor bipolaire BDT31A

• Type de transistor: NPN
• Tension collecteur-émetteur maximum: 60 V
• Tension collecteur-base maximum: 100 V
• Tension émetteur-base maximum: 5 V
• Courant collecteur continu maximum: 3 A
• Dissipation de puissance maximum: 40 W
• Gain de courant (h_fe): 10 à 50
• Fréquence de transition minimum: 3 MHz
• Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +150 °C
• Boîtier: TO-220

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.Le transistor PNP complémentaire du BDT31A est le BDT32A.Vous pouvez remplacer le transistor BDT31A par BDT31B, BDT31C, MJF31C, MJF31CG, TIP31A, TIP31AG, TIP31B, TIP31BG, TIP31C, TIP31CF, TIP31CG, TIP31D ou TIP31E.