Transistor bipolaire BDT31C

• Type de transistor: NPN
• Tension collecteur-émetteur maximum: 100 V
• Tension collecteur-base maximum: 140 V
• Tension émetteur-base maximum: 5 V
• Courant collecteur continu maximum: 3 A
• Dissipation de puissance maximum: 40 W
• Gain de courant (h_fe): 10 à 50
• Fréquence de transition minimum: 3 MHz
• Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +150 °C
• Boîtier: TO-220

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.Le transistor PNP complémentaire du BDT31C est le BDT32C.Vous pouvez remplacer le transistor BDT31C par MJF31C, MJF31CG, TIP31C, TIP31CF, TIP31CG, TIP31D, TIP31E ou TIP31F.