Transistor bipolaire BDT31B

• Type de transistor: NPN
• Tension collecteur-émetteur maximum: 80 V
• Tension collecteur-base maximum: 120 V
• Tension émetteur-base maximum: 5 V
• Courant collecteur continu maximum: 3 A
• Dissipation de puissance maximum: 40 W
• Gain de courant (h_fe): 10 à 50
• Fréquence de transition minimum: 3 MHz
• Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +150 °C
• Boîtier: TO-220

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.Le transistor PNP complémentaire du BDT31B est le BDT32B.Vous pouvez remplacer le transistor BDT31B par BDT31C, MJF31C, MJF31CG, TIP31B, TIP31BG, TIP31C, TIP31CF, TIP31CG, TIP31D, TIP31E ou TIP31F.