Transistor bipolaire BDT32A

Caractéristiques électriques du transistor BDT32A

  • Type de transistor: PNP
  • Tension collecteur-émetteur maximum: -60 V
  • Tension collecteur-base maximum: -100 V
  • Tension émetteur-base maximum: -5 V
  • Courant collecteur continu maximum: -3 A
  • Dissipation de puissance maximum: 40 W
  • Gain de courant (hfe): 10 à 50
  • Fréquence de transition minimum: 3 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +150 °C
  • Boîtier: TO-220

Brochage du BDT32A

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Complémentaire du transistor BDT32A

Le transistor NPN complémentaire du BDT32A est le BDT31A.

Substituts et équivalents pour le transistor BDT32A

Vous pouvez remplacer le transistor BDT32A par BDT32B, BDT32C, D44C10, D44C7, D45C10, D45C7, MJF32C, MJF32CG, TIP32A, TIP32AG, TIP32B, TIP32BG, TIP32C, TIP32CF, TIP32CG, TIP32D ou TIP32E.
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