Transistor bipolaire BDT30F
Caractéristiques électriques du transistor BDT30F
- Type de transistor: PNP
- Tension collecteur-émetteur maximum: -40 V
- Tension collecteur-base maximum: -80 V
- Tension émetteur-base maximum: -5 V
- Courant collecteur continu maximum: -1 A
- Dissipation de puissance maximum: 19 W
- Gain de courant (hfe): 15 à 75
- Fréquence de transition minimum: 3 MHz
- Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +150 °C
- Boîtier: TO-220F
- Electrically Similar to the Popular BDT30 transistor
Brochage du BDT30F
Complémentaire du transistor BDT30F
Substituts et équivalents pour le transistor BDT30F
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