Transistor bipolaire BDT30F

Caractéristiques électriques du transistor BDT30F

  • Type de transistor: PNP
  • Tension collecteur-émetteur maximum: -40 V
  • Tension collecteur-base maximum: -80 V
  • Tension émetteur-base maximum: -5 V
  • Courant collecteur continu maximum: -1 A
  • Dissipation de puissance maximum: 19 W
  • Gain de courant (hfe): 15 à 75
  • Fréquence de transition minimum: 3 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +150 °C
  • Boîtier: TO-220F
  • Electrically Similar to the Popular BDT30 transistor

Brochage du BDT30F

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Complémentaire du transistor BDT30F

Le transistor NPN complémentaire du BDT30F est le BDT29F.

Substituts et équivalents pour le transistor BDT30F

Vous pouvez remplacer le transistor BDT30F par BD706, BD708, BD710, BD906, BD908, BD910, BDT30AF, BDT30BF, BDT42, BDT42A, BDT42AF, BDT42B, BDT42BF, BDT42F, D44C10, D44C4, D44C7, D45C10, D45C4, D45C7, TIP30, TIP30A, TIP30AG, TIP30B, TIP30BG, TIP30G, TIP42, TIP42A, TIP42AG, TIP42B, TIP42BG ou TIP42G.
Si vous trouvez une erreur, veuillez envoyer un e-mail à mail@el-component.com