Transistor bipolaire MJE182G

• Type de transistor: NPN
• Tension collecteur-émetteur maximum: 80 V
• Tension collecteur-base maximum: 100 V
• Tension émetteur-base maximum: 7 V
• Courant collecteur continu maximum: 3 A
• Dissipation de puissance maximum: 12.5 W
• Gain de courant (h_fe): 50 à 250
• Fréquence de transition minimum: 50 MHz
• Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +150 °C
• Boîtier: TO-126

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.Le BDP951 (SOT-223) et BDP953 (SOT-223) est la version SMD du transistor MJE182G.Vous pouvez remplacer le transistor MJE182G par BD179, BD789, BD791, KSE182, MJE182, MJE242 ou MJE244.