Transistor bipolaire BD139-10

Caractéristiques électriques du transistor BD139-10

  • Type de transistor: NPN
  • Tension collecteur-émetteur maximum: 80 V
  • Tension collecteur-base maximum: 100 V
  • Tension émetteur-base maximum: 5 V
  • Courant collecteur continu maximum: 1.5 A
  • Dissipation de puissance maximum: 12.5 W
  • Gain de courant (hfe): 63 à 160
  • Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
  • Boîtier: TO-126

Brochage du BD139-10

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Classification de hFE

Le transistor BD139-10 peut avoir un gain en courant continu de 63 à 160. Le gain en courant continu du BD139 est compris entre 40 à 250, celui du BD139-16 entre 100 à 250, celui du BD139-6 entre 40 à 100.

Complémentaire du transistor BD139-10

Le transistor PNP complémentaire du BD139-10 est le BD140-10.

Version SMD du transistor BD139-10

Le BCP56 (SOT-223), BCP56-10 (SOT-223), BCX56 (SOT-89) et BCX56-10 (SOT-89) est la version SMD du transistor BD139-10.

Substituts et équivalents pour le transistor BD139-10

Vous pouvez remplacer le transistor BD139-10 par 2SC2481, 2SC3621, 2SD669, 2SD669A, BD139G, BD169, BD179, BD179-10, BD179G, BD230, BD237, BD237G, BD379, BD379-10, BD789, BD791, KSE182, MJE182, MJE182G, MJE240, MJE241, MJE242, MJE243, MJE243G, MJE244 ou MJE722.
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