Transistor bipolaire BCP56-10
Caractéristiques électriques du transistor BCP56-10
- Type de transistor: NPN
- Tension collecteur-émetteur maximum: 80 V
- Tension collecteur-base maximum: 100 V
- Tension émetteur-base maximum: 5 V
- Courant collecteur continu maximum: 1 A
- Dissipation de puissance maximum: 1.5 W
- Gain de courant (hfe): 63 à 160
- Fréquence de transition minimum: 100 MHz
- Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
- Boîtier: SOT-223
Brochage du BCP56-10
Complémentaire du transistor BCP56-10
Substituts et équivalents pour le transistor BCP56-10
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