Transistor bipolaire BCP56-10

Caractéristiques électriques du transistor BCP56-10

  • Type de transistor: NPN
  • Tension collecteur-émetteur maximum: 80 V
  • Tension collecteur-base maximum: 100 V
  • Tension émetteur-base maximum: 5 V
  • Courant collecteur continu maximum: 1 A
  • Dissipation de puissance maximum: 1.5 W
  • Gain de courant (hfe): 63 à 160
  • Fréquence de transition minimum: 100 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
  • Boîtier: SOT-223

Brochage du BCP56-10

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Complémentaire du transistor BCP56-10

Le transistor PNP complémentaire du BCP56-10 est le BCP53-10.

Substituts et équivalents pour le transistor BCP56-10

Vous pouvez remplacer le transistor BCP56-10 par BCP56, BDP951, BDP953 ou BDP955.
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