Transistor bipolaire BD139G
Caractéristiques électriques du transistor BD139G
- Type de transistor: NPN
- Tension collecteur-émetteur maximum: 80 V
- Tension collecteur-base maximum: 100 V
- Tension émetteur-base maximum: 5 V
- Courant collecteur continu maximum: 1.5 A
- Dissipation de puissance maximum: 12.5 W
- Gain de courant (hfe): 40 à 250
- Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
- Boîtier: TO-126
- Le BD139G est la version sans plomb du transistor BD139
Brochage du BD139G
Complémentaire du transistor BD139G
Version SMD du transistor BD139G
Substituts et équivalents pour le transistor BD139G
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