Transistor bipolaire BD139G

Caractéristiques électriques du transistor BD139G

  • Type de transistor: NPN
  • Tension collecteur-émetteur maximum: 80 V
  • Tension collecteur-base maximum: 100 V
  • Tension émetteur-base maximum: 5 V
  • Courant collecteur continu maximum: 1.5 A
  • Dissipation de puissance maximum: 12.5 W
  • Gain de courant (hfe): 40 à 250
  • Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
  • Boîtier: TO-126
  • Le BD139G est la version sans plomb du transistor BD139

Brochage du BD139G

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Complémentaire du transistor BD139G

Le transistor PNP complémentaire du BD139G est le BD140G.

Version SMD du transistor BD139G

Le BCP56 (SOT-223) est la version SMD du transistor BD139G.

Substituts et équivalents pour le transistor BD139G

Vous pouvez remplacer le transistor BD139G par BD139, BD169, BD179, BD230, BD237, BD237G, BD379, BD789, BD791, MJE242, MJE244 ou MJE722.
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