Caractéristiques électriques du transistor BD135-6
Type de transistor: NPN
Tension collecteur-émetteur maximum: 45 V
Tension collecteur-base maximum: 45 V
Tension émetteur-base maximum: 5 V
Courant collecteur continu maximum: 1.5 A
Dissipation de puissance maximum: 12.5 W
Gain de courant (hfe): 40 à 100
Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
Boîtier: TO-126
Brochage du BD135-6
Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.
Classification de hFE
Le transistor BD135-6 peut avoir un gain en courant continu de 40 à 100. Le gain en courant continu du BD135 est compris entre 40 à 250, celui du BD135-10 entre 63 à 160, celui du BD135-16 entre 100 à 250.
Complémentaire du transistor BD135-6
Le transistor PNP complémentaire du BD135-6 est le BD136-6.
Version SMD du transistor BD135-6
Le BCP54 (SOT-223) est la version SMD du transistor BD135-6.
Substituts et équivalents pour le transistor BD135-6