Transistor bipolaire BD135-6

Caractéristiques électriques du transistor BD135-6

  • Type de transistor: NPN
  • Tension collecteur-émetteur maximum: 45 V
  • Tension collecteur-base maximum: 45 V
  • Tension émetteur-base maximum: 5 V
  • Courant collecteur continu maximum: 1.5 A
  • Dissipation de puissance maximum: 12.5 W
  • Gain de courant (hfe): 40 à 100
  • Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
  • Boîtier: TO-126

Brochage du BD135-6

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Classification de hFE

Le transistor BD135-6 peut avoir un gain en courant continu de 40 à 100. Le gain en courant continu du BD135 est compris entre 40 à 250, celui du BD135-10 entre 63 à 160, celui du BD135-16 entre 100 à 250.

Complémentaire du transistor BD135-6

Le transistor PNP complémentaire du BD135-6 est le BD136-6.

Version SMD du transistor BD135-6

Le BCP54 (SOT-223) est la version SMD du transistor BD135-6.

Substituts et équivalents pour le transistor BD135-6

Vous pouvez remplacer le transistor BD135-6 par 2N4922, 2N4922G, 2N4923, 2N4923G, 2N5191, 2N5191G, BD131, BD135G, BD137, BD137-6, BD137G, BD139, BD139-6, BD139G, BD165, BD167, BD169, BD175, BD177, BD179, BD187, BD189, BD226, BD228, BD230, BD233, BD233G, BD235, BD235G, BD237, BD237G, BD375, BD375-6, BD377, BD377-6, BD379, BD379-6, BD437, BD437G, BD439, BD439G, BD441, BD441G, BD785, BD787, BD787G, BD789, MJE223, MJE224, MJE225, MJE240, MJE241, MJE242, MJE721 ou MJE722.
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