Transistor bipolaire BCW70LT1G

Caractéristiques électriques du transistor BCW70LT1G

  • Type de transistor: PNP
  • Tension collecteur-émetteur maximum: -45 V
  • Tension collecteur-base maximum: -50 V
  • Tension émetteur-base maximum: -5 V
  • Courant collecteur continu maximum: -0.1 A
  • Dissipation de puissance maximum: 0.3 W
  • Gain de courant (hfe): 215 à 500
  • Fréquence de transition minimum: 100 MHz
  • Figure de bruit maximum: 10 dB
  • Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
  • Boîtier: SOT-23
  • Le BCW70LT1G est la version sans plomb du transistor BCW70LT1

Brochage du BCW70LT1G

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Complémentaire du transistor BCW70LT1G

Le transistor NPN complémentaire du BCW70LT1G est le BCW72LT1G.

Substituts et équivalents pour le transistor BCW70LT1G

Vous pouvez remplacer le transistor BCW70LT1G par 2SA1037, 2SA1366, 2SA1518, 2SA1519, 2SA1520, 2SA1521, 2SA812, 2STR2160, BC807, BC856, BC857, BC860, BCW68, BCW70, BCW70LT1, BCX17, FMMTA55, FMMTA56, KSA812, KST55, KST56, MMBT4354, MMBTA55, MMBTA56, PMBTA56, SMBTA55 ou SMBTA56.
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