Transistor bipolaire BCW66G

• Type de transistor: NPN
• Tension collecteur-émetteur maximum: 45 V
• Tension collecteur-base maximum: 75 V
• Tension émetteur-base maximum: 5 V
• Courant collecteur continu maximum: 0.8 A
• Dissipation de puissance maximum: 0.35 W
• Gain de courant (h_fe): 160 à 400
• Fréquence de transition minimum: 170 MHz
• Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +150 °C
• Boîtier: SOT-23

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.Le transistor BCW66G peut avoir un gain en courant continu de 160 à 400. Le gain en courant continu du BCW66 est compris entre 100 à 630, celui du BCW66F entre 100 à 250, celui du BCW66H entre 250 à 630.Le transistor PNP complémentaire du BCW66G est le BCW68G.Vous pouvez remplacer le transistor BCW66G par FMMT619 ou FMMT620.