Transistor bipolaire BCW66

Caractéristiques électriques du transistor BCW66

  • Type de transistor: NPN
  • Tension collecteur-émetteur maximum: 45 V
  • Tension collecteur-base maximum: 75 V
  • Tension émetteur-base maximum: 5 V
  • Courant collecteur continu maximum: 0.8 A
  • Dissipation de puissance maximum: 0.35 W
  • Gain de courant (hfe): 100 à 630
  • Fréquence de transition minimum: 170 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +150 °C
  • Boîtier: SOT-23

Brochage du BCW66

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Classification de hFE

Le transistor BCW66 peut avoir un gain en courant continu de 100 à 630. Le gain en courant continu du BCW66F est compris entre 100 à 250, celui du BCW66G entre 160 à 400, celui du BCW66H entre 250 à 630.

Complémentaire du transistor BCW66

Le transistor PNP complémentaire du BCW66 est le BCW68.

Substituts et équivalents pour le transistor BCW66

Vous pouvez remplacer le transistor BCW66 par FMMT619.
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