Transistor bipolaire BC858B

Caractéristiques électriques du transistor BC858B

  • Type de transistor: PNP
  • Tension collecteur-émetteur maximum: -30 V
  • Tension collecteur-base maximum: -30 V
  • Tension émetteur-base maximum: -5 V
  • Courant collecteur continu maximum: -0.1 A
  • Dissipation de puissance maximum: 0.25 W
  • Gain de courant (hfe): 200 à 450
  • Fréquence de transition minimum: 150 MHz
  • Figure de bruit maximum: 2 dB
  • Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +150 °C
  • Boîtier: SOT-23

Brochage du BC858B

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Classification de hFE

Le transistor BC858B peut avoir un gain en courant continu de 200 à 450. Le gain en courant continu du BC858 est compris entre 110 à 800, celui du BC858A entre 110 à 220, celui du BC858C entre 420 à 800.

Complémentaire du transistor BC858B

Le transistor NPN complémentaire du BC858B est le BC848B.

Substituts et équivalents pour le transistor BC858B

Vous pouvez remplacer le transistor BC858B par 2SA1037, 2SA1366, 2SA1518, 2SA1519, 2SA1520, 2SA1521, 2SA812, 2SB709A, 2SB709A-Q, 2SB709A-R, 2SB709A-S, 2STR2160, 2STR2230, BC807, BC857, BC857B, BC859, BC859B, BC860, BC860B, BCW67, BCW68, BCW72, BCW72LT1, BCW72LT1G, BCX17, FMMT549A, FMMTA55, KSA812, KST55, MMBT200, MMBT4354, MMBTA55 ou SMBTA55.
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