Transistor bipolaire 2SD669-B

• Type de transistor: NPN
• Tension collecteur-émetteur maximum: 120 V
• Tension collecteur-base maximum: 180 V
• Tension émetteur-base maximum: 5 V
• Courant collecteur continu maximum: 1.5 A
• Dissipation de puissance maximum: 20 W
• Gain de courant (h_fe): 60 à 120
• Fréquence de transition minimum: 140 MHz
• Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
• Boîtier: TO-126

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.Le transistor 2SD669-B peut avoir un gain en courant continu de 60 à 120. Le gain en courant continu du 2SD669 est compris entre 60 à 320, celui du 2SD669-C entre 100 à 200, celui du 2SD669-D entre 160 à 320.Parfois, le préfixe "2S" n'est pas marqué sur l'emballage - le transistor 2SD669-B peut n'être marqué que D669-B.Le transistor PNP complémentaire du 2SD669-B est le 2SB649-B.Vous pouvez remplacer le transistor 2SD669-B par 2SC2481, 2SC2481-R, 2SC3621, 2SC3621-R, 2SD669A ou 2SD669A-B.