Transistor bipolaire 2SD669A-B

• Type de transistor: NPN
• Tension collecteur-émetteur maximum: 160 V
• Tension collecteur-base maximum: 180 V
• Tension émetteur-base maximum: 5 V
• Courant collecteur continu maximum: 1.5 A
• Dissipation de puissance maximum: 20 W
• Gain de courant (h_fe): 60 à 120
• Fréquence de transition minimum: 140 MHz
• Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
• Boîtier: TO-126

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.Le transistor 2SD669A-B peut avoir un gain en courant continu de 60 à 120. Le gain en courant continu du 2SD669A est compris entre 60 à 200, celui du 2SD669A-C entre 100 à 200.Parfois, le préfixe "2S" n'est pas marqué sur l'emballage - le transistor 2SD669A-B peut n'être marqué que D669A-B.Le transistor PNP complémentaire du 2SD669A-B est le 2SB649A-B.