Transistor bipolaire 2SD401A-M

Caractéristiques électriques du transistor 2SD401A-M

  • Type de transistor: NPN
  • Tension collecteur-émetteur maximum: 150 V
  • Tension collecteur-base maximum: 200 V
  • Tension émetteur-base maximum: 5 V
  • Courant collecteur continu maximum: 2 A
  • Dissipation de puissance maximum: 25 W
  • Gain de courant (hfe): 40 à 80
  • Fréquence de transition minimum: 5 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
  • Boîtier: TO-220

Brochage du 2SD401A-M

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Classification de hFE

Le transistor 2SD401A-M peut avoir un gain en courant continu de 40 à 80. Le gain en courant continu du 2SD401A est compris entre 40 à 200, celui du 2SD401A-K entre 100 à 200, celui du 2SD401A-L entre 60 à 120.

Marquage

Parfois, le préfixe "2S" n'est pas marqué sur l'emballage - le transistor 2SD401A-M peut n'être marqué que D401A-M.

Complémentaire du transistor 2SD401A-M

Le transistor PNP complémentaire du 2SD401A-M est le 2SB546A-M.

Substituts et équivalents pour le transistor 2SD401A-M

Vous pouvez remplacer le transistor 2SD401A-M par 2SD401, 2SD401-R, 2SD402, 2SD610, 2SD610-S, 2SD772, 2SD772A, 2SD772B, 2SD792, 2SD792A, 2SD792B, MJE15030, MJE15030G, MJE5182, MJF15030, MJF15030G, TIP41F ou TIP42F.
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