Caractéristiques électriques du transistor 2SD401-R
Type de transistor: NPN
Tension collecteur-émetteur maximum: 150 V
Tension collecteur-base maximum: 200 V
Tension émetteur-base maximum: 5 V
Courant collecteur continu maximum: 2 A
Dissipation de puissance maximum: 25 W
Gain de courant (hfe): 40 à 80
Fréquence de transition minimum: 5 MHz
Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
Boîtier: TO-220
Brochage du 2SD401-R
Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.
Classification de hFE
Le transistor 2SD401-R peut avoir un gain en courant continu de 40 à 80. Le gain en courant continu du 2SD401 est compris entre 40 à 400, celui du 2SD401-G entre 200 à 400, celui du 2SD401-O entre 70 à 140, celui du 2SD401-Y entre 120 à 240.
Marquage
Parfois, le préfixe "2S" n'est pas marqué sur l'emballage - le transistor 2SD401-R peut n'être marqué que D401-R.
Complémentaire du transistor 2SD401-R
Le transistor PNP complémentaire du 2SD401-R est le 2SB546-R.
Substituts et équivalents pour le transistor 2SD401-R