Transistor bipolaire 2SD1380-P

• Type de transistor: NPN
• Tension collecteur-émetteur maximum: 32 V
• Tension collecteur-base maximum: 40 V
• Tension émetteur-base maximum: 5 V
• Courant collecteur continu maximum: 2 A
• Dissipation de puissance maximum: 10 W
• Gain de courant (h_fe): 82 à 180
• Fréquence de transition minimum: 100 MHz
• Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
• Boîtier: TO-126

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.Le transistor 2SD1380-P peut avoir un gain en courant continu de 82 à 180. Le gain en courant continu du 2SD1380 est compris entre 82 à 390, celui du 2SD1380-Q entre 120 à 270, celui du 2SD1380-R entre 180 à 390.Parfois, le préfixe "2S" n'est pas marqué sur l'emballage - le transistor 2SD1380-P peut n'être marqué que D1380-P.Le transistor PNP complémentaire du 2SD1380-P est le 2SB1009-P.Vous pouvez remplacer le transistor 2SD1380-P par 2SC1162, 2SC3422, 2SD1722, 2SD1723, 2SD794, 2SD794A, BD131, BD175, BD177, BD187, BD189, BD233, BD233G, BD235, BD235G, BD375, BD377, BD785, BD787, BD787G, BDX35, BDX36, KSD794, KSD794A, KSE180, KSE181, KTC2814, MJE180, MJE180G, MJE181, MJE181G, MJE220, MJE222, MJE223, MJE225, MJE521 ou MJE521G.