Caractéristiques électriques du transistor 2SC536N
Type de transistor: NPN
Tension collecteur-émetteur maximum: 50 V
Tension collecteur-base maximum: 60 V
Tension émetteur-base maximum: 6 V
Courant collecteur continu maximum: 0.15 A
Dissipation de puissance maximum: 0.5 W
Gain de courant (hfe): 160 à 560
Fréquence de transition minimum: 200 MHz
Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
Boîtier: TO-92
Brochage du 2SC536N
Le 2SC536N est fabriqué dans un boîtier plastique TO-92. Lorsque l'on regarde le côté plat avec les fils dirigés vers le bas, les trois fils sortant du transistor sont, de gauche à droite, l'émetteur, le collecteur et la base. Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.
Classification de hFE
Le transistor 2SC536N peut avoir un gain en courant continu de 160 à 560. Le gain en courant continu du 2SC536N-F est compris entre 160 à 320, celui du 2SC536N-G entre 280 à 560.
Marquage
Parfois, le préfixe "2S" n'est pas marqué sur l'emballage - le transistor 2SC536N peut n'être marqué que C536N.
Complémentaire du transistor 2SC536N
Le transistor PNP complémentaire du 2SC536N est le 2SA608N.