Transistor bipolaire KTC1006
Caractéristiques électriques du transistor KTC1006
- Type de transistor: NPN
- Tension collecteur-émetteur maximum: 80 V
- Tension collecteur-base maximum: 80 V
- Tension émetteur-base maximum: 5 V
- Courant collecteur continu maximum: 0.8 A
- Dissipation de puissance maximum: 1 W
- Gain de courant (hfe): 100
- Fréquence de transition minimum: 150 MHz
- Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
- Boîtier: TO-92MOD
Brochage du KTC1006
Version SMD du transistor KTC1006
Substituts et équivalents pour le transistor KTC1006
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