Transistor bipolaire 2SB965-P

Caractéristiques électriques du transistor 2SB965-P

  • Type de transistor: PNP
  • Tension collecteur-émetteur maximum: -120 V
  • Tension collecteur-base maximum: -120 V
  • Tension émetteur-base maximum: -5 V
  • Courant collecteur continu maximum: -7 A
  • Dissipation de puissance maximum: 70 W
  • Gain de courant (hfe): 160 à 320
  • Fréquence de transition minimum: 75 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
  • Boîtier: TO-3P

Brochage du 2SB965-P

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Classification de hFE

Le transistor 2SB965-P peut avoir un gain en courant continu de 160 à 320. Le gain en courant continu du 2SB965 est compris entre 60 à 320, celui du 2SB965-Q entre 100 à 200, celui du 2SB965-R entre 60 à 120.

Marquage

Parfois, le préfixe "2S" n'est pas marqué sur l'emballage - le transistor 2SB965-P peut n'être marqué que B965-P.

Complémentaire du transistor 2SB965-P

Le transistor NPN complémentaire du 2SB965-P est le 2SD1288-P.

Substituts et équivalents pour le transistor 2SB965-P

Vous pouvez remplacer le transistor 2SB965-P par 2SA1106, 2SA1633, 2SA1633-F, 2SA1788, 2SA1788-F, 2SB966 ou 2SB966-P.
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